K4A4G045WE-BCTD0
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Samsung Semiconductor K4A4G045WE-BCTD0

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型号

K4A4G045WE-BCTD0

utmel 编号

2107-K4A4G045WE-BCTD0

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TFBGA,

起订量

1最小包装量--

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K4A4G045WE-BCTD0
K4A4G045WE-BCTD0 Samsung Semiconductor TFBGA,

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K4A4G045WE-BCTD0详情

Samsung Semiconductor K4A4G045WE-BCTD0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    78

  • Manufacturer Part Number

    K4A4G045WE-BCTD0

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Package Description

    TFBGA,

  • Risk Rank

    5.75

  • Number of Words

    1073741824 words

  • Number of Words Code

    1000000000

  • Operating Temperature-Max

    95 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.2 V

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B78

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.26 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.14 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    1GX4

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    4

  • 记忆密度

    4294967296 bit

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 访问模式

    多库页面突发

  • 自我刷新

    YES

  • 长度

    11 mm

  • 宽度

    7.5 mm

0个相似型号

K4A4G045WE-BCTD0拓展信息

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