K4E160412D-F5000
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Samsung Semiconductor K4E160412D-F5000

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型号

K4E160412D-F5000

utmel 编号

2107-K4E160412D-F5000

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TSOP2,

起订量

1最小包装量--

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K4E160412D-F5000
K4E160412D-F5000 Samsung Semiconductor TSOP2,

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K4E160412D-F5000详情

Samsung Semiconductor K4E160412D-F5000重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    24

  • Manufacturer Part Number

    K4E160412D-F5000

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Package Description

    TSOP2,

  • Risk Rank

    5.72

  • Access Time-Max

    50 ns

  • Number of Words

    4194304 words

  • Number of Words Code

    4000000

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    TSOP2

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3.3 V

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G24

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 组织结构

    4MX4

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    4

  • 记忆密度

    16777216 bit

  • 内存IC类型

    EDO DRAM

  • 访问模式

    FAST PAGE WITH EDO

  • 长度

    17.14 mm

  • 宽度

    7.62 mm

0个相似型号

K4E160412D-F5000拓展信息

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