Samsung Semiconductor K4T51163QQ-BCE70
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K4T51163QQ-BCE70详情
Samsung Semiconductor K4T51163QQ-BCE70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
终端数量
84
Manufacturer Part Number
K4T51163QQ-BCE70
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description
VFBGA,
Risk Rank
5.71
Access Time-Max
0.4 ns
Number of Words
33554432 words
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B84
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
32MX16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
记忆密度
536870912 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
12.5 mm
宽度
7.5 mm
K4T51163QQ-BCE70拓展信息
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor








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