Samsung Semiconductor K6R3024V1D-HC10
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K6R3024V1D-HC10
2107-K6R3024V1D-HC10
集成电路(IC)
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K6R3024V1D-HC10详情
Samsung Semiconductor K6R3024V1D-HC10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
119
Manufacturer Part Number
K6R3024V1D-HC10
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
BGA
Package Description
BGA, BGA119,7X17,50
Risk Rank
5.92
Access Time-Max
10 ns
Number of Words
131072 words
Number of Words Code
128000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
BGA
Package Equivalence Code
BGA119,7X17,50
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
网格排列
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Reflow Temperature-Max (s)
30
ECCN 代码
3A991.B.2.A
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
119
JESD-30代码
R-PBGA-B119
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.15 mA
组织结构
128KX24
输出特性
3-STATE
内存宽度
24
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
3145728 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SRAM MODULE
待机电压-最小值
3 V
长度
22 mm
宽度
14 mm
K6R3024V1D-HC10拓展信息
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Semiconductor
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Samsung Semiconductor
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