Samsung Semiconductor K7D801871B-HC33
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K7D801871B-HC33
2107-K7D801871B-HC33
集成电路(IC)
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BGA, BGA153,9X17,50
1最小包装量--
K7D801871B-HC33详情
Samsung Semiconductor K7D801871B-HC33重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
153
Manufacturer Part Number
K7D801871B-HC33
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
BGA
Package Description
BGA, BGA153,9X17,50
Risk Rank
5.92
Access Time-Max
0.2 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
333 MHz
Number of Words
524288 words
Number of Words Code
512000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
BGA
Package Equivalence Code
BGA153,9X17,50
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
网格排列
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
153
JESD-30代码
R-PBGA-B153
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.63 V
电源
1.5,2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.37 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.7 mA
组织结构
512KX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.21 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.15 A
记忆密度
9437184 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR SRAM
待机电压-最小值
2.37 V
长度
22 mm
宽度
14 mm
K7D801871B-HC33拓展信息
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
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