Samsung Semiconductor K7R321882C-FI200
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K7R321882C-FI200
2107-K7R321882C-FI200
集成电路(IC)
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LBGA, BGA165,11X15,40
1最小包装量--
K7R321882C-FI200详情
Samsung Semiconductor K7R321882C-FI200重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
165
Manufacturer Part Number
K7R321882C-FI200
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
BGA
Package Description
LBGA, BGA165,11X15,40
Risk Rank
5.89
Access Time-Max
0.45 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
200 MHz
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words
2097152 words
Number of Words Code
2000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LBGA
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
ECCN 代码
3A991.B.2.A
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.5/1.8,1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.7 mA
组织结构
2MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.3 A
记忆密度
37748736 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
QDR SRAM
待机电压-最小值
1.7 V
长度
17 mm
宽度
15 mm
K7R321882C-FI200拓展信息
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Semiconductor
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