K7R641884M-FC20T
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Samsung Semiconductor K7R641884M-FC20T

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型号

K7R641884M-FC20T

utmel 编号

2107-K7R641884M-FC20T

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BGA, BGA165,11X15,40

起订量

1最小包装量--

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K7R641884M-FC20T
K7R641884M-FC20T Samsung Semiconductor BGA, BGA165,11X15,40

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K7R641884M-FC20T详情

Samsung Semiconductor K7R641884M-FC20T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    165

  • Manufacturer Part Number

    K7R641884M-FC20T

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Package Description

    BGA, BGA165,11X15,40

  • Risk Rank

    5.92

  • Access Time-Max

    0.45 ns

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    200 MHz

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words

    4194304 words

  • Number of Words Code

    4000000

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    BGA

  • Package Equivalence Code

    BGA165,11X15,40

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    网格排列

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B165

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    1.5/1.8,1.8 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    4MX18

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    18

  • 记忆密度

    75497472 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    SEPARATE

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 待机电压-最小值

    1.7 V

0个相似型号

K7R641884M-FC20T拓展信息

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