Samsung Semiconductor K8P2815UQC-GI4C0
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K8P2815UQC-GI4C0
2107-K8P2815UQC-GI4C0
集成电路(IC)
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VFBGA, BGA80,8X12,32
1最小包装量--
K8P2815UQC-GI4C0详情
Samsung Semiconductor K8P2815UQC-GI4C0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
80
Manufacturer Part Number
K8P2815UQC-GI4C0
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
BGA
Package Description
VFBGA, BGA80,8X12,32
Risk Rank
5.84
Access Time-Max
65 ns
Number of Words
8388608 words
Number of Words Code
8000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
VFBGA
Package Equivalence Code
BGA80,8X12,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
NOR型号
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
附加功能
BOTTOM BOOT BLOCK, TOP BOOT BLOCK
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
80
JESD-30代码
R-PBGA-B80
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.055 mA
组织结构
8MX16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00003 A
记忆密度
134217728 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
16,254
行业规模
4K,32K
页面尺寸
8 words
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM/TOP
通用闪存接口
YES
长度
11 mm
宽度
8 mm
K8P2815UQC-GI4C0拓展信息
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
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