Samsung Semiconductor SGL40N150D
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SGL40N150D
2107-SGL40N150D
晶体管 - IGBT - 单个
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大陆
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1500V V(BR)CES, N-Channel, TO-264, TO-264, 3 PIN
1最小包装量--
SGL40N150D详情
Samsung Semiconductor SGL40N150D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Turn-on Time-Nom (ton)
1300 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
680 ns
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Number of Elements
1
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Part Package Code
TO-264
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
ECCN 代码
EAR99
附加功能
高速开关
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-264
集电极电流-最大值(IC)
40 A
集电极-发射器电压-最大值
1500 V









哦! 它是空的。