SGL40N150D
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Samsung Semiconductor SGL40N150D

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型号

SGL40N150D

utmel 编号

2107-SGL40N150D

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1500V V(BR)CES, N-Channel, TO-264, TO-264, 3 PIN

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SGL40N150D
SGL40N150D Samsung Semiconductor Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1500V V(BR)CES, N-Channel, TO-264, TO-264, 3 PIN

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SGL40N150D详情

Samsung Semiconductor SGL40N150D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    1300 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    680 ns

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Number of Elements

    1

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Part Package Code

    TO-264

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    高速开关

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-264

  • 集电极电流-最大值(IC)

    40 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1500 V

0个相似型号

技术文档: Samsung Semiconductor SGL40N150D.

SGL40N150D拓展信息

SGR20N40L
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Samsung Semiconductor

SGL40N150
SGL40N150

Samsung Semiconductor

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