SGL60N90D
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Samsung Semiconductor SGL60N90D

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型号

SGL60N90D

utmel 编号

2107-SGL60N90D

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-264, TO-264, 3 PIN

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SGL60N90D
SGL60N90D Samsung Semiconductor Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-264, TO-264, 3 PIN

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SGL60N90D详情

Samsung Semiconductor SGL60N90D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Part Package Code

    TO-264

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    500 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    350 ns

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    高速开关

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-264

  • 集电极电流-最大值(IC)

    60 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    900 V

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技术文档: Samsung Semiconductor SGL60N90D.

SGL60N90D拓展信息

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