Samsung Semiconductor SGR2N60UFD
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SGR2N60UFD
2107-SGR2N60UFD
晶体管 - IGBT - 单个
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大陆
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 2.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, DPAK-3
1最小包装量--
SGR2N60UFD详情
Samsung Semiconductor SGR2N60UFD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
TO-252
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Nom (toff)
132 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
46 ns
ECCN 代码
EAR99
附加功能
高速开关
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
2.4 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V









哦! 它是空的。