Samsung Semiconductor SSD2005
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SSD2005
2107-SSD2005
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 25V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
1最小包装量--
SSD2005详情
Samsung Semiconductor SSD2005重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
SOT
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Drain Current-Max (ID)
2.3 A
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.25 Ω
DS 击穿电压-最小值
25 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2 W
SSD2005拓展信息
Samsung Semiconductor
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Samsung Electro-Mechanics
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