注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Samsung Semiconductor SSD2102

Name: SSD2102
Brand: Samsung Semiconductor
SKU: 2107-SSD2102
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

SSD2102

品牌

Samsung Semiconductor

utmel 编号

2107-SSD2102

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

SSD2102 Samsung Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

SSD2102详情

技术参数

PDF文档

Samsung Semiconductor SSD2102重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code

SOT
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Drain Current-Max (ID)

5.3 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
引脚数量

8
JESD-30代码

R-PDSO-G8
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
极性/通道类型

P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω
DS 击穿电压-最小值

20 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

2.5 W

0个相似型号

SSD2102拓展信息

热销零件