Samsung Semiconductor SSD2108
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SSD2108
2107-SSD2108
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
1最小包装量--
SSD2108详情
Samsung Semiconductor SSD2108重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
SOT
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Drain Current-Max (ID)
4.3 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.1 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
SSD2108拓展信息
Samsung Semiconductor
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Samsung Electro-Mechanics
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