Samsung Semiconductor SSH9N90A
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SSH9N90A
2107-SSH9N90A
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
1最小包装量--
SSH9N90A详情
Samsung Semiconductor SSH9N90A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
TO-3P
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)
9 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Max (toff)
435 ns
Turn-on Time-Max (ton)
190 ns
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
36 A
DS 击穿电压-最小值
900 V
雪崩能量等级(Eas)
772 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
280 W
反馈上限-最大值 (Crss)
125 pF
环境耗散-最大值
280 W
SSH9N90A拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung Electronics Co. Ltd
Samsung Semiconductor
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