Samsung Semiconductor SSU1N60

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Drain Current-Max (ID)

1 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Turn-off Time-Max (toff)

90 ns

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

12 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

3 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

40 W

反馈上限-最大值 (Crss)

20 pF

环境耗散-最大值

40 W