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Samsung Semiconductor SSW1N50A

Name: SSW1N50A
Brand: Samsung Semiconductor
SKU: 2107-SSW1N50A
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SSW1N50A

品牌

Samsung Semiconductor

utmel 编号

2107-SSW1N50A

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

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SSW1N50A Samsung Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

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SSW1N50A详情

技术参数

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Samsung Semiconductor SSW1N50A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)

1.5 A
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSSO-G2
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

5.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

5 A
DS 击穿电压-最小值

500 V
雪崩能量等级（Eas）

113 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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SSW1N50A拓展信息

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