Sanken MGD623N

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 50A, 39 Ω, 15V

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

150W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输入类型

Standard

功率 - 最大

150W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.3V

最大集电极电流

50A

反向恢复时间

300 ns

接通时间

175 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

500 ns

集极脉冲电流（Icm）

100A

Td（开/关）@25°C

75ns/300ns

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅