BUZ906详情
Semelab BUZ906重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
引脚数
2
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Manufacturer Part Number
BUZ906
Package Shape
ROUND
Manufacturer
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SEMELAB LTD
Risk Rank
5.78
Drain Current-Max (ID)
8 A
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最大功率耗散
125 W
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
125 W
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
-200 V
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
8 A
阈值电压
-1.5 V
JEDEC-95代码
TO-3
漏源击穿电压
200 V
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
1.5 Ω
栅源电压
-1.5 V
达到SVHC
无SVHC
BUZ906拓展信息








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