BUZ906
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Semelab BUZ906

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型号

BUZ906

品牌

Semelab

utmel 编号

2155-BUZ906

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

8A, 200V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3

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BUZ906 Semelab 8A, 200V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3

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BUZ906详情

Semelab BUZ906重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    2

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    METAL

  • Manufacturer Part Number

    BUZ906

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SEMELAB LTD

  • Risk Rank

    5.78

  • Drain Current-Max (ID)

    8 A

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最大功率耗散

    125 W

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    O-MBFM-P2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    125 W

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 漏源电压 (Vdss)

    -200 V

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    8 A

  • 阈值电压

    -1.5 V

  • JEDEC-95代码

    TO-3

  • 漏源击穿电压

    200 V

  • DS 击穿电压-最小值

    200 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    1.5 Ω

  • 栅源电压

    -1.5 V

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

BUZ906拓展信息

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