Seme LAB D1002UK

安装类型

螺钉安装

包装/外壳

DA

底架

Panel

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements per Chip

1

Package Type

DA

Maximum Operating Temperature

+200 °C

Channel Mode

Enhancement

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

70 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V to 7 V

Pd - Power Dissipation

87 W

Transistor Polarity

N-Channel

Vgs - Gate-Source Voltage

20 V

Unit Weight

0.381488 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

25

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

TT Electronics

Brand

Semelab / TT Electronics

Id - Continuous Drain Current

10 A

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

D1002UK

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMELAB LTD

Risk Rank

5.05

系列

TetraFET

JESD-609代码

e4

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

射频功率MOSFET

端子表面处理

GOLD

最高工作温度

200 °C

附加功能

低噪音

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

87 W

技术

Si

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

O-CRFM-F4

资历状况

不合格

工作频率

175 MHz

配置

Single

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

输出功率

40 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

射频MOSFET晶体管

晶体管类型

DMOS FET

连续放电电流(ID)

10 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

增益

16 dB

输入电容

120 pF

DS 击穿电压-最小值

70 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最高频段

超高频段

产品类别

射频MOSFET晶体管

宽度

9.52mm

高度

6.6mm

长度

24.76mm