Semelab D2219UK

包装/外壳

SOIC-8

安装类型

表面贴装

RoHS

Details

Transistor Polarity

N-Channel

Id - Continuous Drain Current

2 A

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Pd - Power Dissipation

17.5 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50

Vgs - Gate-Source Voltage

20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V to 5 V

Number of Elements per Chip

1

Package Type

SOIC

Channel Mode

Enhancement

系列

TetraFET

类型

射频功率MOSFET

引脚数量

8

工作频率

1 GHz

配置

Single

输出功率

2.5 W

晶体管类型

DMOS FET

增益

10 dB

信道型

N

高度

2.18 mm

长度

5.08 mm

宽度

4.06 mm