SKIM609GAR12E4
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SEMIKRON SKIM609GAR12E4

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型号

SKIM609GAR12E4

品牌

SEMIKRON

utmel 编号

2163-SKIM609GAR12E4

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 748A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SKIM 93, 33 PIN

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SKIM609GAR12E4 SEMIKRON Insulated Gate Bipolar Transistor, 748A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SKIM 93, 33 PIN

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SKIM609GAR12E4详情

SEMIKRON SKIM609GAR12E4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    33

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SEMIKRON INTERNATIONAL

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X33

  • Number of Elements

    3

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    33

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X33

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极电流-最大值(IC)

    748 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.1 V

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技术文档: SEMIKRON SKIM609GAR12E4.

SKIM609GAR12E4拓展信息

SKM400GAR12F4
SKM400GAR12F4

Semikron

SKM300GB12F4
SKM300GB12F4

Semikron

SKM400GAL12F4
SKM400GAL12F4

Semikron

SK25GAL063
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Semikron

SKIIP14NAB066V1
SKM600GB12T4
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SKM600GB12E4
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SK15GH066
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SKD40GAL123D
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