SKM150GB063D
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SEMIKRON SKM150GB063D

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型号

SKM150GB063D

品牌

SEMIKRON

utmel 编号

2163-SKM150GB063D

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE D 56, SEMITRANS 3, 7 PIN

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SKM150GB063D
SKM150GB063D SEMIKRON Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE D 56, SEMITRANS 3, 7 PIN

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SKM150GB063D详情

SEMIKRON SKM150GB063D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    7

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SEMIKRON INTERNATIONAL

  • Part Package Code

    DO-204

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

  • Manufacturer Package Code

    CASE D 56

  • Number of Elements

    2

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    490 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    195 ns

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡银

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    2

  • 参考标准

    UL 认证

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X7

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    675 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    200 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.5 V

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技术文档: SEMIKRON SKM150GB063D.

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