Sharp Microelectronics GP2S24J0000F

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

PCB 安装

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Number of Elements

1

操作温度

-25°C~85°C

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e2

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

附加功能

2V VCE

Reach合规守则

unknown

本体宽度

3 mm

输出类型

Phototransistor

终端类型

SOLDER

功率耗散

100mW

正向电流

20mA

回应时间

20μs, 20μs

上升时间

20μs

正向电压

1.2V

下降时间（典型值）

20 μs

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.028 (0.7mm)

反向击穿电压

6V

反向电压

6V

波长

950 nm

感测方法

Reflective

最大直流驱动电流（If）

50mA

传感器/传感器类型

LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE

房屋

PLASTIC

最大测量范围

0.7 mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅