Sharp Microelectronics GP2S27T3J00F

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Number of Elements

1

操作温度

-25°C~85°C

包装

Cut Tape (CT)

已出版

1998

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

5 (48 Hours)

Reach合规守则

unknown

本体宽度

3 mm

输出类型

Phototransistor

终端类型

SOLDER

功率耗散

100mW

输出功率

75mW

正向电流

50mA

回应时间

20μs, 20μs

上升时间

100μs

正向电压

1.2V

下降时间（典型值）

100 μs

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.028 (0.7mm)

反向击穿电压

6V

感测方法

Reflective

最大击穿电压

35V

传感器/传感器类型

LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅