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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.513149
10
¥1.427499
100
¥1.346697
500
¥1.27047
1000
¥1.198555
SHARP/Socle Technology GP2S60B
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- 对比
GP2S60B
2201-GP2S60B
光学传感器 - 反射式 - 模拟输出
4-SMD, No Lead
大陆
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Photointerrupter Trans Out 4X3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
GP2S60B详情
SHARP/Socle Technology GP2S60B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
引脚数
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
35V
Current-Collector (Ic) (Max)
20mA
Number of Elements
1
操作温度
-25°C~85°C
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
5 (48 Hours)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-25°C
输出类型
Phototransistor
功率耗散
100mW
正向电流
20mA
回应时间
20μs, 20μs
上升时间
20μs
正向电压
1.2V
下降时间(典型值)
20 μs
集电极发射器电压(VCEO)
35V
最大集电极电流
20mA
感应距离
0.028 (0.7mm)
电压 - 集射极击穿(最大值)
35V
反向击穿电压
6V
反向电压
6V
感测方法
Reflective
最大击穿电压
35V
最大直流驱动电流(If)
50mA
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
GP2S60B拓展信息
Sharp
Sharp
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
SHARP/Socle Technology
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics
Sharp Microelectronics







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