Sharp Microelectronics PC849

包装/外壳

16-DIP (0.300, 7.62mm)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

16

Number of Elements

4

Current Transfer Ratio-Min

50% @ 5mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

已出版

1997

包装

Tube

操作温度

-25°C~100°C

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

UL 认证

Reach合规守则

unknown

电压-隔离度

5000Vrms

输出电压

35V

输出类型

Transistor

通道数量

4

功率耗散

170mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

DC

正向电流

50mA

每个通道的输出电流

50mA

集电极发射器电压(VCEO)

200mV

上升/下降时间(Typ)

4μs 3μs

反向击穿电压

6V

电流传输比（最大）

400% @ 5mA

暗电流（最大）

100nA

RoHS状态

Non-RoHS Compliant