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技术文档
型号
BSM150GB100D
品牌
Siemens
utmel 编号
2239-BSM150GB100D
商品类别
晶体管 - IGBT - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel,
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BSM150GB100D详情
技术参数
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Siemens BSM150GB100D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
7
晶体管元件材料
SILICON
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Number of Elements
2
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Part Life Cycle Code
Transferred
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-X7
资历状况
不合格
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
150 A
集电极-发射器电压-最大值
1000 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.3 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.2 V
环境耗散-最大值
1250 W
技术文档: Siemens BSM150GB100D.
BSM150GB100D拓展信息
相关分类
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:BSM25GAL100D
封装:--
品牌:Siemens
库存:0
型号:BSM150GAL120DN2E3166
型号:BSS88
型号:BSM15GD120D2
型号:BSM35GD120D2
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