注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
BSM15GD120D2
品牌
Siemens
utmel 编号
2239-BSM15GD120D2
商品类别
晶体管 - IGBT - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
BSM15GD120D2详情
技术参数
PDF文档
Siemens BSM15GD120D2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
17
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-D17
Number of Elements
6
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Rise Time-Max (tr)
90 ns
Turn-off Time-Max (toff)
600 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
400 ns
Turn-on Time-Max (ton)
110 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
55 ns
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XUFM-D17
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
25 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5 V
环境耗散-最大值
870 W
最大下降时间 (tf)
100 ns
技术文档: Siemens BSM15GD120D2.
BSM15GD120D2拓展信息
相关分类
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:BSM150GAL120DN2E3166
封装:--
品牌:Siemens
库存:0
型号:BSM25GAL100D
型号:BSM150GB100D
型号:BSS88
型号:BSM35GD120D2
购物车 (0件产品)