S2M0080120D
S2M0080120D

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

SMC Diode Solutions S2M0080120D

  • 收藏
  • 对比

型号

S2M0080120D

utmel 编号

2301-S2M0080120D

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
S2M0080120D
S2M0080120D SMC Diode Solutions MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

S2M0080120D详情

SMC Diode Solutions S2M0080120D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商器件包装

    TO-247AD

  • 厂商

    SMC 二极管解决方案

  • Package

    Tube

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    41A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    20V

  • Power Dissipation (Max)

    231W (Tc)

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    100mOhm @ 20A, 20V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 10mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1324 pF @ 1000 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    54 nC @ 20 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    1200 V

  • Vgs(最大值)

    +25V, -10V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

S2M0080120D拓展信息

S2M0080120K
S2M0080120K

SMC Diode Solutions

S2M0025120K
S2M0025120K

SMC Diode Solutions

S2M0040120D
S2M0040120D

SMC Diode Solutions

S2M0016120D
S2M0016120D

SMC DIODE SOLUTIONS

S2M0080120J
S2M0080120J

SMC DIODE SOLUTIONS

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z