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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥444.107468
10
¥418.969306
100
¥395.254063
500
¥372.881191
1000
¥351.774711
STMicroelectronics LET9060STR
- 收藏
- 对比
LET9060STR
2381-LET9060STR
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
大陆
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RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF
--最小包装量--
¥
总价: ¥
LET9060STR详情
STMicroelectronics LET9060STR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
52 Weeks
包装/外壳
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
165°C
Voltage Rated
80V
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
12A
频率
960MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
LET9060
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PDSO-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
300mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
17.2dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
DS 击穿电压-最小值
80V
功率 - 输出
60W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
170W
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
LET9060STR拓展信息
STMicroelectronics
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