STMicroelectronics LET9060TR
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LET9060TR
2381-LET9060TR
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
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RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF
1最小包装量--
LET9060TR详情
STMicroelectronics LET9060TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Voltage Rated
80V
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
12A
频率
960MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
LET9060
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PDSO-G2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
300mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
17.2dB
DS 击穿电压-最小值
80V
功率 - 输出
60W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
LET9060TR拓展信息
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