STMicroelectronics NAND01GR3B2BZA6E
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NAND01GR3B2BZA6E
2381-NAND01GR3B2BZA6E
USB、DVI、HDMI 连接器
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IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
--最小包装量--
NAND01GR3B2BZA6E详情
STMicroelectronics NAND01GR3B2BZA6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
63
Manufacturer Part Number
NAND01GR3B2BZA6E
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TFBGA, BGA63,10X12,32
Risk Rank
5.83
Access Time-Max
30 ns
Number of Words
134217728 words
Reflow Temperature-Max (s)
30
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Package Shape
RECTANGULAR
Package Equivalence Code
BGA63,10X12,32
Package Code
TFBGA
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Number of Words Code
128000000
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
SLC NAND类型
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.015 mA
组织结构
128MX8
座位高度-最大
1.05 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
1K
行业规模
128K
页面尺寸
2K words
准备就绪/忙碌
YES
长度
12 mm
宽度
9.5 mm
NAND01GR3B2BZA6E拓展信息
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