STMicroelectronics NAND01GW3B2CZA6
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NAND01GW3B2CZA6
2381-NAND01GW3B2CZA6
存储器 - 模块
--
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128MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
--最小包装量--
NAND01GW3B2CZA6详情
STMicroelectronics NAND01GW3B2CZA6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
63
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Part Package Code
BGA
Package Description
TFBGA,
Access Time-Max
35 ns
Number of Words
134217728 words
Number of Words Code
128000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
128MX8
座位高度-最大
1.05 mm
内存宽度
8
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
长度
12 mm
宽度
9.5 mm
NAND01GW3B2CZA6拓展信息
STMicroelectronics
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SGS Thomson








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