NAND01GW3B2CZA6
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STMicroelectronics NAND01GW3B2CZA6

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型号

NAND01GW3B2CZA6

utmel 编号

2381-NAND01GW3B2CZA6

商品类别

存储器 - 模块

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

128MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63

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NAND01GW3B2CZA6
NAND01GW3B2CZA6 STMicroelectronics 128MX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63

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NAND01GW3B2CZA6详情

STMicroelectronics NAND01GW3B2CZA6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    63

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    STMICROELECTRONICS

  • Part Package Code

    BGA

  • Package Description

    TFBGA,

  • Access Time-Max

    35 ns

  • Number of Words

    134217728 words

  • Number of Words Code

    128000000

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3 V

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    63

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B63

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.7 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 组织结构

    128MX8

  • 座位高度-最大

    1.05 mm

  • 内存宽度

    8

  • 记忆密度

    1073741824 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    3 V

  • 长度

    12 mm

  • 宽度

    9.5 mm

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技术文档: STMicroelectronics NAND01GW3B2CZA6.

NAND01GW3B2CZA6拓展信息

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