STMicroelectronics NAND512W3A2DZA6E
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NAND512W3A2DZA6E
2381-NAND512W3A2DZA6E
存储器 - 模块
--
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64MX8 FLASH 3V PROM, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
--最小包装量--
NAND512W3A2DZA6E详情
STMicroelectronics NAND512W3A2DZA6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
63
Type of enclosure
multipurpose
Dimension X
122mm
Dimension Y
2220mm
Dimension Z
91mm
Enclosure material
polyester
Body colour
black
Enclosure description
glass fiber reinforced
Conform to the norm
ATEX Ex
Dimensions
See
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Part Package Code
BGA
Package Description
8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
Access Time-Max
12000 ns
Number of Words
67108864 words
Number of Words Code
64000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
BGA
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
网格排列
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Operating temperature
-40...100°C
ECCN 代码
EAR99
类型
SLC NAND类型
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
64MX8
内存宽度
8
记忆密度
536870912 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
NAND512W3A2DZA6E拓展信息
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SGS Thomson
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