STMicroelectronics PD84010TR-E
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PD84010TR-E
2381-PD84010TR-E
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
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FET RF 40V 870MHZ 10PWRSOIC
1最小包装量--
PD84010TR-E详情
STMicroelectronics PD84010TR-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
165°C
Voltage Rated
40V
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
8A
频率
870MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
PD84010
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PDSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
300mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
16.3dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
DS 击穿电压-最小值
40V
功率 - 输出
2W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
95W
电压-测试
7.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PD84010TR-E拓展信息
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