STMicroelectronics PD85006L-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

11 Weeks

底架

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

14

Number of Elements

4

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

最大功率耗散

20.8W

端子位置

QUAD

额定电流

2A

频率

870MHz

基本部件号

PD85006

引脚数量

5

JESD-30代码

S-PQCC-N5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

20.8W

箱体转运

SOURCE

测试电流

200mA

晶体管应用

AMPLIFIER

漏源电压 (Vdss)

40V

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

LDMOS

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

增益

17dB

最大输出功率

6W

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏源击穿电压

40V

功率 - 输出

5W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

电压-测试

13.6V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅