STMicroelectronics RF3L05250CB4

包装/外壳

LBB

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

LBB

Voltage Rated

90 V

Product Status

活跃

厂商

STMicroelectronics

Package Type

LBB

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

90 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Pd - Power Dissipation

250 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Vgs - Gate-Source Voltage

10 V

Unit Weight

0.084658 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

100

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

STMicroelectronics

Brand

STMicroelectronics

Rds On - Drain-Source Resistance

1 Ohms

RoHS

Details

系列

-

包装

MouseReel

类型

射频功率MOSFET

子类别

MOSFETs

额定电流

1μA

技术

Si

频率

1GHz

引脚数量

5

工作频率

1 MHz

通道数量

1 Channel

输出功率

250 W

测试电流

100 mA

产品类别

射频MOSFET晶体管

晶体管类型

LDMOS

增益

18dB

信道型

N

功率 - 输出

250W

噪声图

-

电压-测试

28 V

产品类别

射频MOSFET晶体管