STMicroelectronics SD1275
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SD1275
2381-SD1275
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
M135
大陆
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RF Bipolar Transistors NPN 13.6V 160MHz
1最小包装量--
SD1275详情
STMicroelectronics SD1275重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
M135
安装类型
Chassis, Stud Mount
底架
Chassis, Stud
引脚数
135
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
20
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
16V
包装
Bulk
操作温度
200°C TJ
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Gold (Au)
电压 - 额定直流
36V
最大功率耗散
70W
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
8A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
SD1275
引脚数量
4
JESD-30代码
O-PRPM-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
16V
最大集电极电流
8A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 250mA 5V
增益
9dB
集电极基极电压(VCBO)
36V
发射极基极电压 (VEBO)
4V
连续集电极电流
8A
最高频段
极高频率 b
宽度
9.78mm
长度
9.78mm
高度
19.05mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SD1275拓展信息
STMicroelectronics
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