SD1275
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STMicroelectronics SD1275

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型号

SD1275

utmel 编号

2381-SD1275

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

M135

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Bipolar Transistors NPN 13.6V 160MHz

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SD1275
SD1275 STMicroelectronics RF Bipolar Transistors NPN 13.6V 160MHz

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SD1275详情

STMicroelectronics SD1275重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    M135

  • 安装类型

    Chassis, Stud Mount

  • 底架

    Chassis, Stud

  • 引脚数

    135

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • hFEMin

    20

  • Number of Elements

    1

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    16V

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    200°C TJ

  • JESD-609代码

    e4

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Gold (Au)

  • 电压 - 额定直流

    36V

  • 最大功率耗散

    70W

  • 端子位置

    RADIAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    8A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    SD1275

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    O-PRPM-F4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    16V

  • 最大集电极电流

    8A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    20 @ 250mA 5V

  • 增益

    9dB

  • 集电极基极电压(VCBO)

    36V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    4V

  • 连续集电极电流

    8A

  • 最高频段

    极高频率 b

  • 宽度

    9.78mm

  • 长度

    9.78mm

  • 高度

    19.05mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: STMicroelectronics SD1275.

右边的3个型号有着和STMicroelectronics & SD1275相似的参数规格。

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