STMicroelectronics SD2900
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SD2900
2381-SD2900
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
M113
大陆
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Trans RF MOSFET N-CH 65V 0.9A 4-Pin Case M-113
1最小包装量--
SD2900详情
STMicroelectronics SD2900重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
包装/外壳
M113
引脚数
113
Number of Elements
1
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
65V
最大功率耗散
21.9W
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
900mA
频率
400MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
SD2900
引脚数量
4
JESD-30代码
O-PRFM-F4
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
21.9W
测试电流
50mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
65V
晶体管类型
N-Channel
连续放电电流(ID)
900mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
增益
16dB
最大输出功率
5W
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.9A
漏源击穿电压
65V
输入电容
8.5pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SD2900拓展信息
STMicroelectronics
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