STMicroelectronics SD56150
- 收藏
- 对比
SD56150
2381-SD56150
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
M252
大陆
立即发货

Transistors RF MOSFET Power N-Ch 65 Volt 17 Amp
1最小包装量--
SD56150详情
STMicroelectronics SD56150重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
包装/外壳
M252
引脚数
252
Number of Elements
1
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
32V
最大功率耗散
236W
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
17A
频率
860MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
SD56150
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDFM-F4
资历状况
不合格
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
236W
箱体转运
SOURCE
测试电流
500mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
65V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
17A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
增益
16.5dB
漏源击穿电压
65V
功率 - 输出
150W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SD56150拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics








哦! 它是空的。