STMicroelectronics STB210NF02
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STB210NF02
2381-STB210NF02
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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120A, 20V, 0.0032ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
1最小包装量--
STB210NF02详情
STMicroelectronics STB210NF02重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Part Package Code
D2PAK
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
120 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.0032 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
480 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
雪崩能量等级(Eas)
2300 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
300 W
STB210NF02拓展信息
STMicroelectronics
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Thomson-CSF Compsants Specific
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