STMicroelectronics STD830CP40
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STD830CP40
2381-STD830CP40
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-DIP (0.300, 7.62mm)
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TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP
--最小包装量--
STD830CP40详情
STMicroelectronics STD830CP40重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
8-DIP (0.300, 7.62mm)
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
HTS代码
8541.29.00.95
最大功率耗散
3W
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STD830
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDIP-T8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
功率 - 最大
3W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN和PNP
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
18 @ 700mA 5V
最大集极截止电流
100μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 1A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STD830CP40拓展信息
STMicroelectronics
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