STGWA30M65DF2AG
STGWA30M65DF2AG

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG

  • 收藏
  • 对比

型号

STGWA30M65DF2AG

utmel 编号

2381-STGWA30M65DF2AG

商品类别

晶体管 - IGBT - 阵列

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
STGWA30M65DF2AG
STGWA30M65DF2AG STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

STGWA30M65DF2AG详情

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • RoHS

    符合RoHS标准

  • Mounting Styles

    通孔

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    650 V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.02 V

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    20 V

  • Continuous Collector Current at 25 C

    87 A

  • Pd - Power Dissipation

    441 W

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 175 C

  • Qualification

    AEC-Q101

  • Continuous Collector Current Ic Max

    57 A

  • Gate-Emitter Leakage Current

    250 nA

  • Factory Pack Quantity

    30

  • Unit Weight

    0.215171 oz

  • 包装

    Tube

  • 配置

    Single

0个相似型号

技术文档: STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG.

STGWA30M65DF2AG拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS