STMicroelectronics STH60N10

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Turn-on Time-Max (ton)

480 ns

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

60 A

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Part Package Code

TO-218

Ihs Manufacturer

STMICROELECTRONICS

Part Life Cycle Code

Obsolete

Rohs Code

无

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-218

漏极-源极导通最大电阻

0.025 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

720 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

200 W

反馈上限-最大值 (Crss)

350 pF

环境耗散-最大值

200 W