STMicroelectronics STS5N150
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STS5N150
2381-STS5N150
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: 5A, 150V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
1最小包装量--
STS5N150详情
STMicroelectronics STS5N150重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Part Package Code
SOT
Package Description
SO-8
Drain Current-Max (ID)
5 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e4
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.06 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
STS5N150拓展信息
STMicroelectronics
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Thomson-CSF Compsants Specific
STMicroelectronics
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