STMicroelectronics TD350E
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TD350E
2381-TD350E
PMIC - 栅极驱动器
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Gate Drivers Advanced IGBT/MOSFET driver
--最小包装量--
TD350E详情
STMicroelectronics TD350E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
14
Driver Configuration
High-Side
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 4.2V
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
14
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
500mW
电压 - 供电
12V~26V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
16V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
TD350
引脚数量
14
输出的数量
2
最大输出电流
2.3A
电源电流
5mA
功率耗散
500mW
输出电流
10mA
最大电源电流
1A
输入类型
Non-Inverting
上升时间
130ns
下降时间(典型值)
75 ns
上升/下降时间(Typ)
130ns 75ns Max
接口IC类型
HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER
信道型
Single
驱动器数量
1
接通时间
0.65 µs
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1.5A 2.3A
高边驱动器
YES
高度
1.65mm
长度
8.75mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
TD350E拓展信息












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