TD350E
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STMicroelectronics TD350E

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型号

TD350E

utmel 编号

2381-TD350E

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Gate Drivers Advanced IGBT/MOSFET driver

起订量

--最小包装量--

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TD350E
TD350E STMicroelectronics Gate Drivers Advanced IGBT/MOSFET driver

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TD350E详情

STMicroelectronics TD350E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    14

  • Driver Configuration

    High-Side

  • Logic voltage-VIL, VIH

    0.8V 4.2V

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e4

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    14

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 最大功率耗散

    500mW

  • 电压 - 供电

    12V~26V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    16V

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    TD350

  • 引脚数量

    14

  • 输出的数量

    2

  • 最大输出电流

    2.3A

  • 电源电流

    5mA

  • 功率耗散

    500mW

  • 输出电流

    10mA

  • 最大电源电流

    1A

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 上升时间

    130ns

  • 下降时间(典型值)

    75 ns

  • 上升/下降时间(Typ)

    130ns 75ns Max

  • 接口IC类型

    HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER

  • 信道型

    Single

  • 驱动器数量

    1

  • 接通时间

    0.65 µs

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    1.5A 2.3A

  • 高边驱动器

    YES

  • 高度

    1.65mm

  • 长度

    8.75mm

  • 宽度

    4mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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